Электрические свойства неоднородных контактов Al+/Al-nSi диодов Шоттки

Введение:

деформирующих нагрузок и от толщины плёнки барьерного металла, -изучено влияние термоотжига на свойства нормального и деградированного ДЦПоказано,что площадь эпитаксиального слоя,который рекристаллизируется из твёрдой фазы,зависит от толщины плёнки, -выяснена особенность шение Практическая ценность заключается в том,что: -установлены размерные зависимости для основных параметров ДШ как от площади КШ,так и от толщины плёнки металла,что позволяет варьировать значение этих параметров в широком диапазоне, -разработана методика моделирования деградации B/LX,изучения площади рекристаллизированного слоя, -предложен конструктивно-технологический способ изготовления Щ с почти идеальными характеристиками, Апробация работы Материалы диссертационной работы докладывались на Республиканской 11Г1{ в ноябре 1983 гв !Линске,У1 Республиканской научной конференции аспирантов ВУЗов Азербайджана в ноябре 1983 гнаучно-практической конференции университетская наука производству 25-27 апреля 1984 г Публикации По результатам проведённых исследований опубликовано 7 научных работ Объём работы Диссертация состоит из введения,четырёх глав,заключенрш,списка литературы и содержит 126 страниц машинописного текста,в том числе 42 рисунка,9 таблиц, СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ Первая

Заключение:

Результаты физических исследований контакта металл-полупровод ник, изложенные в данной работе,показывают:
•во-первых,параметры (Jtt + )/M-flSi диодов Шоттки зависят как от площади,так и от толщины плёнки барьерного слоя металла Это позволяет варьировать высотой барьера,изменяя геометрические па раметры контакта;
•во-вторых,установленные зависимости убедительно показывают не состоятельность однородной модели Шоттки Для описания свойств реального контакта предложена неоднородная модель Шоттки,соглас но которой контакт рассматривается как параллельное соединение многочисленных диодов,имеющих различные параметры;
•в-третьих,изучение границы раздела оптическим микроскопом,пока зало, что на поверхности матрицы /2 - Si присутствует слой р-кремния,который является результатом твердофазной эпитаксии, Площадь р-слоя оценена методом Монте-Карло и показано,что она растёт с ростом толщины барьерного слоя В качестве критерия од нородности /или неоднородности/ предложено использовать отноше ние ^Ф /кТ;
•в-четвёртых,изучение влияния одноосного давления на свойства ДШ показывает,что возможной причиной деградации ВАХ является при сутствие омического контакта среди К Ш

С помощью температурной зависимости ДШ доказали,что изученные диоды имеют неоднородный контакт Кроме этого,экспериментальные результаты показывают,что параметры ДШ очень чувствительны к тер моотжигу

В заключение отметим,что изготовление ДШ с однородной границей раздела является трудной задачей Для этого нужно избавиться от

вышеперечисленных источников неоднородностей

Напыляя на поверхность полупроводника либо монокристаллическую, либо аморфную плёнку металла,можно ослабить влияние неоднородно сти, связанной с поликристалличностью плёнки металла Применяя ох ранное кольцо или контакт с большой площадью,можно свести к миниг ь^му роль периферийной неоднородности Подбирая коэффициент диф фузии и реакционноспособность контактирующих материалов,можно бороться с физико-химическим источником неоднородности ГР Таким образом,можно заключить,что диод с лучшими свойствами можно изготовить по схеме:"порядок-порядок",те на поверхность монокристаллической подложки напылять монокристаллическую плёнку металла Можно ожидать,что схема "беспорядок-беспорядок" /аморф ный полупроводник-аморфный металл/ тоже должна дать лучший ре зультат

Таким образом,результаты этой работы могут быть использованы при изготовлении как интегральных микросхем с применением полу проводниковых приборов с барьером Шоттки,так и дискретных полу проводниковых приборов на основе КМП

Список литературы: